Алферов Жорес Иванович. Разработка полупроводниковых гетероструктур

Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 года в Витебске (Белоруссия). Отец его, Иван Карпович, был убежденным коммунистом и занимал посты «красного директора» на предприятиях по всему СССР, поэтому семья постоянно перемещалась по стране.

В 1948 году будущий ученый с золотой медалью окончил школу и по совету учителя физики поступил в Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ), который с отличием окончил в 1953-м. Уже тогда Алферов проявил немалые способности и был принят на работу в Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе (ФТИ им. Иоффе), в котором работает и сейчас. Алферов участвовал в создании транзисторов, а с 1960-х годов занялся гетерогенными полупроводниковыми структурами, за что в 2000 году получил Нобелевскую премию по физике. По сути, Жорес Алферов стоял у истоков всей современной микро- и оптоэлектроники. В 1961 году Жорес Иванович защитил кандидатскую диссертацию, в 1970-м стал доктором наук, в 1972-м — профессором ЛЭТИ, а в 1979-м — академиком АН СССР (позже — РАН). С 1987 года он был директором ФТИ им. Иоффе, а с 2003-го по 2006-й — научным руководителем. На данный момент Жорес Алферов занимает пост вице-президента РАН. Несмотря на почтенный возраст, Жорес Алферов ведет активную научную, преподавательскую и общественную деятельность, работает в области полу проводников и наноструктур.

Разработанные Жоресом Алферовым технологии получения идеальных гетероструктур легли в основу оптоэлектроники и микроэлектроники. Кроме того, на основе гетероструктур создаются приемники оптического излучения, обладающие высоким КПД и уникальными характеристиками. В частности, это солнечные элементы, применяющиеся на космических кораблях и на Земле, а также некоторые виды матриц для фотоаппаратов и приемники инфракрасного излучения (на них основаны, например, приборы ночного видения). Жорес Алферов создал основу для технологий оптической записи информации, волоконно-оптической связи, эффективных солнечных элементов, новых типов транзисторов и микросхем и много другого. Достижения Жореса Алферова были отмечены еще в 1971–1972 годах, когда ему вручили сразу несколько зарубежных и отечественных премий и наград, однако по-настоящему знаменитым ученый стал в 2000 году, когда получил Нобелевскую премию. Дальнейшие исследования в области гетероструктурных полупроводников имеют широкий потенциал. С их помощью можно создать искусственные устройства со свойствами клетки, пригодные для использования в микроэлектронике. С этого начнется новая эра микроэлектроники, в которой работа приборов будет основана на принципах работы живых организмов.